電化學刻蝕法制備LaB6場發(fā)射微尖錐陣列

采用電化學刻蝕方法,成功制備出單尖的六硼化鑭、鉬、鎢及鎢錸合金場發(fā)射冷陰極尖錐,并對這幾種場發(fā)射單尖錐陰極的電子發(fā)射性能進行了測試比較.結果表明,LaB6作為場發(fā)射陰極,具有良好的發(fā)射性能和穩(wěn)定性.在《111》面單晶LaB6基片上,用PECVD法沉積非晶硅作掩膜,制備出具有一定高度的LaB6微尖錐場發(fā)射陣列,結果發(fā)現(xiàn),LaB6基底較為平整,尖錐陣列呈現(xiàn)出各向異性.該結論對LaB6材料在場發(fā)射陰極方面的進一步研究具有重要的指導意義.

作 者： 王小菊 林祖?zhèn)?祁康成 陳澤祥 汪志剛 蔣亞東 WANG Xiao-ju LIN Zu-lun QI Kang-cheng CHEN Ze-xiang WANG Zhi-gang JIANG Ya-dong   作者單位： 電子科技大學,光電信息學院,四川,成都,610054  刊 名： 發(fā)光學報  ISTIC PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE  年，卷(期)： 2007 28(3)  分類號： O462.2 TN873+.95  關鍵詞： 單晶LaB6   場發(fā)射陣列   電化學刻蝕   各向異性  

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