多孔硅鍺的制備及其近紅外發(fā)光增強

用激光照射輔助電化學刻蝕硅鍺合金樣品能夠形成多種低維納米結(jié)構.在硅鍺合金上形成的多孔狀結(jié)構在波長為725 nm處有很強的光致發(fā)光(PL)峰,PL的增強效應不能單獨用量子受限模型來解釋.我們提出新的模型來解釋這種低維納米結(jié)構的PL增強效應.

作 者： 吳克躍 黃偉其 許麗 WU Ke-yue HUANG Wei-qi XU Li   作者單位： 貴州大學理學院,物理系,光電子技術與應用重點實驗室,貴州,貴陽,550025  刊 名： 發(fā)光學報  ISTIC PKU 英文刊名： CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE  年，卷(期)： 2007 28(4)  分類號： O482.31  關鍵詞： 多孔硅鍺   低維納米結(jié)構   PL增強   界面態(tài)  

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