四能級和準四能級激活離子的最佳摻雜濃度

推導了在連續(xù)抽運和脈沖抽運條件下,利用熒光衰減曲線,在雙摻與單摻晶體中,激發(fā)態(tài)布居數(shù)與激活離子摻雜濃度的關系,分析了四能級系統(tǒng)與準四能級系統(tǒng)中激活離子最佳摻雜濃度的計算方法.并利用上述方法,以準四能級系統(tǒng)Tm,Tb:LiYF4和四能級系統(tǒng)Nd:YAG為例,計算了相應離子的最佳摻雜濃度,并與文獻的有關報道進行了比較.

作 者： 胡曉 洪方煜 鄔良能   作者單位： 胡曉(上海交通大學物理系光學與光子學研究所,上海,200030;中國計量學院文理分院物理教研室,杭州,310034)

洪方煜,鄔良能(中國計量學院文理分院物理教研室,杭州,310034) 

刊 名： 物理學報  ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICA SINICA  年，卷(期)： 2002 51(9)  分類號： O4  關鍵詞： 激發(fā)態(tài)布居數(shù)   最佳摻雜濃度   四能級系統(tǒng)與準四能級系統(tǒng)   Tm   Tb:LiYF4  

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