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快速熱退火和氫等離子體處理對富硅氧化硅薄膜微結構與發(fā)光的影響
采用micro-Raman散射、傅里葉變換紅外吸收譜和光致發(fā)光譜研究了快速熱退火及氫等離子體處理對等離子體增強化學氣相沉積法200℃襯底溫度下生長的富硅氧化硅(SRSO)薄膜微結構和發(fā)光的影響.研究發(fā)現,在300-600℃范圍內退火,SRSO薄膜中非晶硅和SiO x ∶H兩相之間的相分離程度隨退火溫度升高趨于減小;而在600-900℃范圍內退火,其相分離程度隨退火溫度升高又趨于增大;同時發(fā)現SRSO薄膜發(fā)光先是隨退火溫度的升高顯著加強,然后在退火溫度達到和超過600℃后迅速減弱;發(fā)光峰位在300℃退火后藍移,此后隨退火溫度升高逐漸紅移.對不同溫度退火后的薄膜進行氫等離子體處理,發(fā)光強度不同程度有所增強,發(fā)光峰位有所移動,但不同溫度退火樣品發(fā)光增強的幅度和峰位移動的趨勢不同.分析認為退火能夠引起薄膜中非晶硅顆粒尺度、顆粒表面結構狀態(tài)以及氫的存在和分布等方面的變化.結果表明不僅顆粒的尺度大小,而且顆粒表面的結構狀態(tài)都對非晶硅顆粒能帶結構和光生載流子復合機理發(fā)揮重要影響.
作 者： 王永謙 陳維德 陳長勇 刁宏偉 張世斌 徐艷月 孔光臨 廖顯伯 作者單位： 中國科學院半導體研究所,凝聚態(tài)物理中心,表面物理國家重點實驗室,北京,100083 刊 名： 物理學報 ISTIC SCI PKU 英文刊名： ACTA PHYSICA SINICA 年，卷(期)： 2002 51(7) 分類號： O4 關鍵詞： 富硅氧化硅 微結構 發(fā)光 快速熱退火【快速熱退火和氫等離子體處理對富硅氧化硅薄膜微結構與發(fā)光的影響】相關文章：
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